ABB 5SGX0845F0001 3BHB003387R0101 Mô-đun IGCT

Mô tả

The ABB 5SGX0845F0001 3BHB003387R0101 is an Insulated Gate Bipolar Transistor (IGCT) module designed for high-voltage, megawatt applications. It combines robust construction with integrated control features to ensure reliable performance in demanding industrial environments.

Tính năng

• Khả năng dòng điện cao: Có khả năng cung cấp dòng điện liên tục lên đến 1150A.
• Độ bền: Thiết kế để chịu được điều kiện hoạt động khắc nghiệt, đảm bảo tuổi thọ trong môi trường cực đoan.
• Điều khiển cổng tích hợp: Bao gồm mạch điều khiển cổng chuyên dụng trong mô-đun, đơn giản hóa thiết kế hệ thống và giảm chi phí lắp đặt.
• Tối ưu hóa không gian: Tối đa hóa việc sử dụng không gian trong tủ điều khiển, nâng cao hiệu quả và tính linh hoạt trong bố trí.
• Cơ chế bảo vệ: Bao gồm các cơ chế bảo vệ toàn diện để bảo vệ hệ thống khỏi lỗi và quá tải.

Thông số kỹ thuật

• Loại: Mô-đun IGCT
• Dòng điện liên tục: Lên đến 1150A
• Điều kiện hoạt động: Phù hợp với môi trường công nghiệp nặng
• Mạch điều khiển cổng: Tích hợp trong mô-đun
• Bảo vệ: Bảo vệ toàn diện chống lỗi và quá tải